Toshiba Semiconductor and Storage - RN1911FETE85LF

KEY Part #: K6529587

RN1911FETE85LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2408483पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01543
  • 4,000 pcs$0.01536

भाग संख्या:
RN1911FETE85LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1911FETE85LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN1911FETE85LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 10 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : -
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 250MHz
पावर - अधिकतम : 100mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6

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