ON Semiconductor - NDF06N60ZG

KEY Part #: K6406858

NDF06N60ZG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8636पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$0.19890

भाग संख्या:
NDF06N60ZG
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDF06N60ZG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NDF06N60ZG
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7.1A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1107pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 35W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220FP
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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    MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP.