Micron Technology Inc. - MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

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भाग संख्या:
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
निर्माता:
Micron Technology Inc.
विस्तृत विवरण:
IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: इम्बेडेड - FPGAs (क्षेत्र प्रोग्रामिंग गेट एरे), PMIC - प्रकाश, गिट्टी कन्ट्रोलरहरू, PMIC - गेट ड्राइभरहरू, तर्क - बफर्स, ड्राइभरहरू, रसिभरहरू, ट्रान्ससिभरहरू, ईन्टरफेस - यूआर्ट्स (युनिभर्सल एसिन्क्रोनस रिसीभर , लिनियर - एम्पलीफायरहरू - उपकरण, ओपी एम्प्स, बफर एम, PMIC - भोल्टेज संदर्भ and PMIC - पावर व्यवस्थापन - विशेषज्ञता प्राप्त ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
निर्माता : Micron Technology Inc.
वर्णन : IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा : FLASH
टेक्नोलोजी : FLASH - NAND
मेमोरी साइज : 512Gb (64G x 8)
घडी फ्रिक्वेन्सी : 200MHz
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : -
पहुँच समय : -
मेमोरी ईन्टरफेस : Parallel
भोल्टेज - आपूर्ति : 2.7V ~ 3.6V
अपरेटिंग तापमान : 0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : -
प्याकेज / केस : -
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : -

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  • IS49NLS96400A-33WBL

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    IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ. DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2

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