भाग संख्या :
PSMN1R2-25YL,115
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
105nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6380pF @ 12V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
121W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस :
SOT-1023, 4-LFPAK