Renesas Electronics America - RJK0301DPB-02#J0

KEY Part #: K6418999

RJK0301DPB-02#J0 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [86753पीसी स्टक]

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  • 2,500 pcs$0.47808

भाग संख्या:
RJK0301DPB-02#J0
निर्माता:
Renesas Electronics America
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0301DPB-02#J0 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RJK0301DPB-02#J0
निर्माता : Renesas Electronics America
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : +16V, -12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5000pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 65W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 5-LFPAK
प्याकेज / केस : SC-100, SOT-669

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