Vishay Siliconix - SQ3425EV-T1_GE3

KEY Part #: K6405140

SQ3425EV-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [366462पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10093
  • 3,000 pcs$0.09710

भाग संख्या:
SQ3425EV-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3425EV-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQ3425EV-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7.4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 840pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-TSOP
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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