Taiwan Semiconductor Corporation - MBR1035HC0G

KEY Part #: K6429240

MBR1035HC0G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [300633पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12303

भाग संख्या:
MBR1035HC0G
निर्माता:
Taiwan Semiconductor Corporation
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR1035HC0G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MBR1035HC0G
निर्माता : Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन : DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 35V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 700mV @ 10A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 35V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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