Vishay Siliconix - IRFD110PBF

KEY Part #: K6417061

IRFD110PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [100560पीसी स्टक]

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  • 100 pcs$0.22437
  • 500 pcs$0.16619
  • 1,000 pcs$0.13295

भाग संख्या:
IRFD110PBF
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD110PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFD110PBF
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 180pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.3W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
प्याकेज / केस : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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