भाग संख्या :
FCP190N65S3R0
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
17A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 1.7mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
33nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1350pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
144W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220-3