Toshiba Semiconductor and Storage - RN1961FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529784

[2050पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    RN1961FE(TE85L,F)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE(TE85L,F) electronic components. RN1961FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1961FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1961FE(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : RN1961FE(TE85L,F)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    प्रतिरोधक - बेस (R1) : 4.7 kOhms
    प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 4.7 kOhms
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 30 @ 10mA, 5V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 250µA, 5mA
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 250MHz
    पावर - अधिकतम : 100mW
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6

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