ON Semiconductor - FDV302P-NB8V001

KEY Part #: K6404393

[2027पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    FDV302P-NB8V001
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - आरएफ ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor FDV302P-NB8V001 electronic components. FDV302P-NB8V001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDV302P-NB8V001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDV302P-NB8V001 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : FDV302P-NB8V001
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 120mA (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.7V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.31nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : -8V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 11pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 350mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23
    प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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