भाग संख्या :
MSRTA20080(A)D
निर्माता :
GeneSiC Semiconductor
वर्णन :
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
डायोड कन्फिगरेसन :
1 Pair Series Connection
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
800V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) :
200A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.1V @ 200A
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
-
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 800V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Chassis Mount
प्याकेज / केस :
Three Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Three Tower