Infineon Technologies - BSL211SPH6327XTSA1

KEY Part #: K6416587

BSL211SPH6327XTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [417748पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08854
  • 3,000 pcs$0.07964

भाग संख्या:
BSL211SPH6327XTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL211SPH6327XTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSL211SPH6327XTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 654pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TSOP-6-6
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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