IRFI820G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [28377पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.45963
- 1,000 pcs$1.45237
- भाग संख्या:
- IRFI820G
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFI820G electronic components. IRFI820G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI820G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI820G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFI820G
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.1A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
360pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
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