Toshiba Semiconductor and Storage - TK100L60W,VQ

KEY Part #: K6397869

TK100L60W,VQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2996पीसी स्टक]

  • 1 pcs$15.90046
  • 10 pcs$14.70792
  • 100 pcs$12.56136

भाग संख्या:
TK100L60W,VQ
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100L60W,VQ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK100L60W,VQ
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 15000pF @ 30V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 797W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-3P(L)
प्याकेज / केस : TO-3PL

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