SSM6J512NU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [717463पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05699
- 3,000 pcs$0.05671
- भाग संख्या:
- SSM6J512NU,LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF electronic components. SSM6J512NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J512NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J512NU,LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM6J512NU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
श्रृंखला :
U-MOSVII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
19.5nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1400pF @ 6V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-UDFNB (2x2)
प्याकेज / केस :
6-WDFN Exposed Pad
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तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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- NTD4302T4
- 2SK221100L
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