NXP USA Inc. - PHB160NQ08T,118

KEY Part #: K6400151

[3497पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    PHB160NQ08T,118
    निर्माता:
    NXP USA Inc.
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in NXP USA Inc. PHB160NQ08T,118 electronic components. PHB160NQ08T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB160NQ08T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHB160NQ08T,118 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : PHB160NQ08T,118
    निर्माता : NXP USA Inc.
    वर्णन : MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    श्रृंखला : TrenchMOS™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 75V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 75A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.6 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 91nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5585pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 300W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
    प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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