ON Semiconductor - FDB9403-F085

KEY Part #: K6394275

FDB9403-F085 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [46834पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.83487

भाग संख्या:
FDB9403-F085
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB9403-F085 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FDB9403-F085
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 110A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 213nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 12700pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 333W (Tj)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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