Nexperia USA Inc. - 2N7002BKM,315

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2N7002BKM,315 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [997241पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
2N7002BKM,315
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002BKM,315 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2N7002BKM,315
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 450mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 50pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 360mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN1006-3
प्याकेज / केस : SC-101, SOT-883

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