Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J15FV,L3F

KEY Part #: K6417002

SSM3J15FV,L3F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2750629पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01487
  • 8,000 pcs$0.01479

भाग संख्या:
SSM3J15FV,L3F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J15FV,L3F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM3J15FV,L3F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
श्रृंखला : π-MOSVI
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.7V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 9.1pF @ 3V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : VESM
प्याकेज / केस : SOT-723

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