ON Semiconductor - FCPF7N60YDTU

KEY Part #: K6419031

FCPF7N60YDTU मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [88328पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.44268
  • 800 pcs$0.41659

भाग संख्या:
FCPF7N60YDTU
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF7N60YDTU उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FCPF7N60YDTU
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
श्रृंखला : SuperFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 920pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 31W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220F-3 (Y-Forming)
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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