Infineon Technologies - IRF7351PBF

KEY Part #: K6524160

IRF7351PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3924पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.75676
  • 10 pcs$0.67063
  • 100 pcs$0.53003
  • 500 pcs$0.41105
  • 1,000 pcs$0.30697

भाग संख्या:
IRF7351PBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7351PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7351PBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 17.8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1330pF @ 30V
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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