यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. घर
  2. उत्पादनहरू
  3. एकीकृत सर्किट (आईसीहरू)
  4. मेमोरी
  5. TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938377

TC58BYG2S0HBAI6 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [20269पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
  • 25 pcs$1.66867
  • 50 pcs$1.65941
  • 100 pcs$1.48816
भाग संख्या:
TC58BYG2S0HBAI6
निर्माता:
Toshiba Memory America, Inc.
विस्तृत विवरण:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: तर्क - बफर्स, ड्राइभरहरू, रसिभरहरू, ट्रान्ससिभरहरू, इन्टरफेस - सेन्सर, क्यापेसिटिव टच, ईन्टरफेस - प्रत्यक्ष डिजिटल संश्लेषण (डीडीएस), तर्क - काउन्टर, भिन्न व्यक्ति, तर्क - ल्याचहरू, PMIC - वर्तमान नियमन / व्यवस्थापन, तर्क - मल्टिभाइब्रेटरहरू and इन्टरफेस - मोडेमहरू - आईसीहरू र मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 electronic components. TC58BYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI6 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TC58BYG2S0HBAI6
निर्माता : Toshiba Memory America, Inc.
वर्णन : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
श्रृंखला : Benand™
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा : FLASH
टेक्नोलोजी : FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी साइज : 4Gb (512M x 8)
घडी फ्रिक्वेन्सी : -
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : 25ns
पहुँच समय : 25ns
मेमोरी ईन्टरफेस : Parallel
भोल्टेज - आपूर्ति : 1.7V ~ 1.95V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 67-VFBGA (6.5x8)

ताजा समाचारहरू

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

तातो पार्ट्स