भाग संख्या :
SISH410DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
22A (Ta), 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
41nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1600pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8SH
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8SH