GeneSiC Semiconductor - GC02MPS12-220

KEY Part #: K6433753

GC02MPS12-220 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [23263पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.77161

भाग संख्या:
GC02MPS12-220
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 2A TO-220-2
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC02MPS12-220 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GC02MPS12-220
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 12A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.8V @ 2A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 2µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 127pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-2
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C
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