Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI6

KEY Part #: K929925

TH58NYG3S0HBAI6 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [11073पीसी स्टक]

  • 1 pcs$4.13817

भाग संख्या:
TH58NYG3S0HBAI6
निर्माता:
Toshiba Memory America, Inc.
विस्तृत विवरण:
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: तर्क - युनिभर्सल बस प्रकार्यहरू, तर्क - ल्याचहरू, इन्टरफेस - नियन्त्रकहरू, PMIC - लेजर ड्राइभरहरू, PMIC - पूर्ण, आधा-ब्रिज ड्राइभरहरू, ईन्टरफेस - विशेषज्ञता प्राप्त, तर्क - विशेषता तर्क and इम्बेडेड - PLDs (प्रोग्राम योग्य तर्क उपकरण) ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI6 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TH58NYG3S0HBAI6
निर्माता : Toshiba Memory America, Inc.
वर्णन : IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा : FLASH
टेक्नोलोजी : FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी साइज : 8Gb (1G x 8)
घडी फ्रिक्वेन्सी : -
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : 25ns
पहुँच समय : 25ns
मेमोरी ईन्टरफेस : Parallel
भोल्टेज - आपूर्ति : 1.7V ~ 1.95V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 67-VFBGA (6.5x8)

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