यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. घर
  2. उत्पादनहरू
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FHE3D4HM-MFCJ

Samsung Semiconductor - K4FHE3D4HM-MFCJ

KEY Part #: K7359780

[24245पीसी स्टक]

    भाग संख्या:
    K4FHE3D4HM-MFCJ
    निर्माता:
    Samsung Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: LPDDR5, GDDR6, SLC Nand, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR3, MODULE and GDDR5 ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4FHE3D4HM-MFCJ electronic components. K4FHE3D4HM-MFCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4FHE3D4HM-MFCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FHE3D4HM-MFCJ उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : K4FHE3D4HM-MFCJ
    निर्माता : Samsung Semiconductor
    वर्णन : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    श्रृंखला : DDR3
    घनत्व : 24 Gb
    Org। : x32
    गति : 3733 Mbps
    भोल्टेज : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    अस्थायी। : -40 ~ 95 °C
    प्याकेज : 200FBGA
    उत्पादन स्थिति : Mass Production

    ताजा समाचारहरू

    The future of NAND technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    तातो पार्ट्स