भाग संख्या :
VS-10ETF12STRLPBF
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.33V @ 10A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
310ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100µA @ 1200V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263AB (D²PAK)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-40°C ~ 150°C