Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4002E-E3/53

KEY Part #: K6435460

1N4002E-E3/53 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1087837पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03400
  • 18,000 pcs$0.03109

भाग संख्या:
1N4002E-E3/53
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL. Rectifiers Vr/100V Io/1A Trim Leads
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4002E-E3/53 electronic components. 1N4002E-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4002E-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4002E-E3/53 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1N4002E-E3/53
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-204AL, DO-41, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-204AL (DO-41)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -50°C ~ 150°C

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