Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ATS12-M3

KEY Part #: K6434453

VS-20ATS12-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [31971पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.28907
  • 1,000 pcs$1.10291

भाग संख्या:
VS-20ATS12-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ATS12-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-20ATS12-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 20A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 20A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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