Toshiba Semiconductor and Storage - HN1B01FU-Y(L,F,T)

KEY Part #: K6392377

[6195पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    HN1B01FU-Y(L,F,T)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T) electronic components. HN1B01FU-Y(L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-Y(L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1B01FU-Y(L,F,T) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : HN1B01FU-Y(L,F,T)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Active
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN, PNP
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150mA
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 10mA, 100mA
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 2mA, 6V
    पावर - अधिकतम : 200mW
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 120MHz
    अपरेटिंग तापमान : 125°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : US6

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