Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J501NU,LF

KEY Part #: K6411843

SSM6J501NU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [699747पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05844
  • 3,000 pcs$0.05815

भाग संख्या:
SSM6J501NU,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF electronic components. SSM6J501NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J501NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J501NU,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6J501NU,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
श्रृंखला : U-MOSVI
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 10A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 29.9nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2600pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-UDFNB (2x2)
प्याकेज / केस : 6-WDFN Exposed Pad

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.