IXYS - IXFR9N80Q

KEY Part #: K6411076

IXFR9N80Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8096पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.60130

भाग संख्या:
IXFR9N80Q
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR9N80Q उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFR9N80Q
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ISOPLUS247™
प्याकेज / केस : ISOPLUS247™

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