Infineon Technologies - IRF8327STR1PBF

KEY Part #: K6403168

[2450पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRF8327STR1PBF
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 30V 14A SQ.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8327STR1PBF उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRF8327STR1PBF
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N-CH 30V 14A SQ
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14A (Ta), 60A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.3 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.4V @ 25µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1430pF @ 15V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET™ SQ
    प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric SQ

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