Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS193,LF

KEY Part #: K6431671

1SS193,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2541342पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01536
  • 3,000 pcs$0.01528
  • 6,000 pcs$0.01329
  • 15,000 pcs$0.01130
  • 30,000 pcs$0.01063
  • 75,000 pcs$0.00997
  • 150,000 pcs$0.00886

भाग संख्या:
1SS193,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS193,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1SS193,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 100mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 100mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : S-Mini
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)

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    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,40V,SM SKY RECT.