Infineon Technologies - IPW65R099C6FKSA1

KEY Part #: K6398131

IPW65R099C6FKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12035पीसी स्टक]

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  • 100 pcs$2.32584
  • 500 pcs$1.94866
  • 1,000 pcs$1.69722

भाग संख्या:
IPW65R099C6FKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW65R099C6FKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPW65R099C6FKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 38A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1.2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 127nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2780pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 278W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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