SISH617DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [227053पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.16290
- भाग संख्या:
- SISH617DN-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SISH617DN-T1-GE3 electronic components. SISH617DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH617DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISH617DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SISH617DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13.9A (Ta), 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1800pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8SH
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8SH
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- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3