Nexperia USA Inc. - PSMN4R0-30YL,115

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PSMN4R0-30YL,115 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [295205पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
PSMN4R0-30YL,115
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R0-30YL,115 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PSMN4R0-30YL,115
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36.6nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2090pF @ 12V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 69W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस : SC-100, SOT-669

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