Vishay Siliconix - SI6423DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6393700

SI6423DQ-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [103515पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.33477

भाग संख्या:
SI6423DQ-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6423DQ-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI6423DQ-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 800mV @ 400µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 110nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.05W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSSOP
प्याकेज / केस : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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