Toshiba Semiconductor and Storage - HN1B01FU-GR,LF

KEY Part #: K6391296

HN1B01FU-GR,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1548880पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02400
  • 3,000 pcs$0.02388

भाग संख्या:
HN1B01FU-GR,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN1B01FU-GR,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : HN1B01FU-GR,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN, PNP
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 10mA, 100mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 200 @ 2mA, 6V
पावर - अधिकतम : 200mW, 210mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 150MHz
अपरेटिंग तापमान : 125°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : US6

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