Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K59CTB,L3F

KEY Part #: K6416468

SSM3K59CTB,L3F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [934746पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04375
  • 10,000 pcs$0.04353

भाग संख्या:
SSM3K59CTB,L3F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K59CTB,L3F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM3K59CTB,L3F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
श्रृंखला : U-MOSVII-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.1nC @ 4.2V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 130pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : CST3B
प्याकेज / केस : 3-SMD, No Lead

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