Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4151W-HE3-18

KEY Part #: K6439876

1N4151W-HE3-18 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2422835पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01527
  • 10,000 pcs$0.01412

भाग संख्या:
1N4151W-HE3-18
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4151W-HE3-18 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1N4151W-HE3-18
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 50V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 150mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 50mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 50nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOD-123
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOD-123
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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