IRF7739L2TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [34183पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.28622
- 4,000 pcs$1.27982
- भाग संख्या:
- IRF7739L2TRPBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7739L2TRPBF electronic components. IRF7739L2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7739L2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7739L2TRPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF7739L2TRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
46A (Ta), 375A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1 mOhm @ 160A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
11880pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.8W (Ta), 125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET L8
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric L8
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