BAS116E6327HTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2455275पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.01506
- 3,000 pcs$0.01472
- 6,000 pcs$0.01328
- 15,000 pcs$0.01154
- 30,000 pcs$0.01039
- 75,000 pcs$0.00923
- 150,000 pcs$0.00770
- भाग संख्या:
- BAS116E6327HTSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 electronic components. BAS116E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6327HTSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BAS116E6327HTSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Last Time Buy
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
250mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.25V @ 150mA
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
1.5µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
150°C (Max)
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
तातो पार्ट्स
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54