Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT75NP120N

KEY Part #: K6533602

[779पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    VS-GT75NP120N
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT75NP120N electronic components. VS-GT75NP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT75NP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GT75NP120N उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : VS-GT75NP120N
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    IGBT प्रकार : -
    कन्फिगरेसन : Single
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150A
    पावर - अधिकतम : 446W
    Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1mA
    इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 9.45nF @ 30V
    इनपुट : Standard
    NTC थर्मिस्टर : No
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : INT-A-PAK (3 + 4)
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : INT-A-PAK

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