Microchip Technology - DN3135N8-G

KEY Part #: K6415992

DN3135N8-G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [196530पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19282
  • 2,000 pcs$0.19186

भाग संख्या:
DN3135N8-G
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN3135N8-G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DN3135N8-G
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 350V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 135mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 0V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 35 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 120pF @ 25V
FET फिचर : Depletion Mode
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.3W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-243AA (SOT-89)
प्याकेज / केस : TO-243AA
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

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  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

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  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

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    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

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    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.