ON Semiconductor - ISL9R18120S3ST

KEY Part #: K6442681

ISL9R18120S3ST मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [59260पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.66949
  • 800 pcs$0.66616
  • 1,600 pcs$0.55196
  • 2,400 pcs$0.51389

भाग संख्या:
ISL9R18120S3ST
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R18120S3ST उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ISL9R18120S3ST
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
श्रृंखला : Stealth™
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 18A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 3.3V @ 18A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 300ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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