Toshiba Semiconductor and Storage - TK62N60X,S1F

KEY Part #: K6398051

TK62N60X,S1F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [9132पीसी स्टक]

  • 1 pcs$4.96228
  • 30 pcs$4.06957
  • 120 pcs$3.67250
  • 510 pcs$3.07696

भाग संख्या:
TK62N60X,S1F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK62N60X,S1F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK62N60X,S1F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
श्रृंखला : DTMOSIV-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 61.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 40 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 3.1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6500pF @ 300V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 400W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247
प्याकेज / केस : TO-247-3

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