भाग संख्या :
NTB65N02RT4G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1330pF @ 20V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D2PAK
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB