Toshiba Semiconductor and Storage - HN2S03FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6476383

[5780पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    HN2S03FE(TE85L,F)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE(TE85L,F) electronic components. HN2S03FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2S03FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN2S03FE(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : HN2S03FE(TE85L,F)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    डायोड कन्फिगरेसन : 3 Independent
    डायोड प्रकार : Schottky
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 20V
    वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 50mA
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 550mV @ 50mA
    गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 20V
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6

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